金融界2025年2月22日消息，国家知识产权局信息显示，西安龙飞电气技术有限公司申请一项名为“一种碳化硅MOSFET器件及其制备方法”的专利，公开号CN 119497414 A，申请日期为2025年1月。

专利摘要显示，本发明提供一种碳化硅MOSFET器件及其制备方法，涉及半导体技术领域。包括：源极金属、碳化硅结构、N‑型第二碳化硅外延层层间绝缘介质、第一P型掺杂区、第二P型掺杂区、第一N型掺杂区、N+型第一源区、第二N型掺杂区、P型体区、N+型第二源区；源极沟槽贯穿N‑型第二碳化硅外延层至第一P型掺杂区和第二P型掺杂区内，外侧被P型源区包围，内部有源极金属；栅极沟槽内有栅氧化层并淀积有多晶硅作为栅极，栅氧化层底部与周期性排列的第一P型掺杂区、第一N型掺杂区和N+型第一源区接触，栅氧化层底部与周期性排列的第二N型掺杂区接触。可保护栅氧化层，降低拐角处栅氧化层的电场强度和降低碳化硅MOSFET器件的导通电阻。

天眼查资料显示，西安龙飞电气技术有限公司，成立于2013年，位于西安市，是一家以从事电气机械和器材制造业为主的企业。企业注册资本3000万人民币，实缴资本3000万人民币。通过天眼查大数据分析，西安龙飞电气技术有限公司参与招投标项目24次，专利信息41条，此外企业还拥有行政许可17个。